Samsung R&D Institute Ukraine

Samsung Research and Development Institute Ukraine (SR Ukraine) – одна із команд глобальної спільноти дослідників та розробників Samsung Electronics. Компанія спеціалізується на таких сферах, як штучний інтелект, безпека інформаційних систем, високопродуктивна комп'ютерна графіка та нові способи взаємодії людини з комп'ютером, зокрема віртуальна та змішана реальність.
  • Product / Startup
  • 251-500
  • 2009
  • Київ
  • CyberSecurity, Machine Learning / Big Data, VR / XR

Переваги для працівників

  • English Courses
  • Безкоштовний обід
  • Відпустка по догляду за дитиною
  • Гнучкий графік роботи
  • Медичне страхування
  • Оплачувані лікарняні
  • Регулярний перегляд зарплатні

Вакансії Samsung R&D Institute Ukraine

Досвід від 3 років Senior Full-time Не має значення Є тестове завдання GIG contract Office Київ
Досвід від 5 років Middle Full-time Не має значення Є тестове завдання GIG contract Office Київ
Досвід не має значення Middle, Senior Full-time Не має значення Є тестове завдання GIG contract Office Київ
Досвід не має значення Middle Full-time Не має значення Є тестове завдання GIG contract Office Київ

Довідкова інформація

Компанія:Samsung R&D Institute Ukraine
Адреса:01032, м. Київ, вул. Льва Толстого, 57, "101 Tower"
Юридична назва:ТОВ "Самсунг РнД Інститут Україна"
Телефон:+380 44 390 53 33
E-mail:srukr.hr@samsung.com
Офіційний сайт Samsung R&D Institute Ukraine:samsung.com/ua/aboutsamsung/careers/srukraine

Телефон, контакти компанії

  • м. Київ, вул. Льва Толстого, 57, "101 Tower";
  • +380 44 390 53 33;
  • +380 44 390 53 34;
  • srukr.hr@samsung.com

Компанія Samsung R&D Institute Ukraine в соцсмережах

* Інформацію взято з офіційного сайту компанії "Samsung R&D Institute Ukraine" samsung.com/ua/aboutsamsung/careers/srukraine та інших відкритих джерел.

На жаль, на даний момент немає відгуків про компанію. Будьте першим, хто залишить тут свій відгук.
"Samsung R&D Institute Ukraine"
  • Samsung R&D Institute Ukraine
  • Відгуків: 1
  • Рейтинг: 4 з 5
  • Оцінок: 3